АЛГОРИТМ СООТНЕСЕНИЯ ФИЗИЧЕСКОЙ И ЛОГИЧЕСКОЙ АДРЕСАЦИЙ В МИКРОСХЕМАХ ПАМЯТИ С ПОМОЩЬЮ ИСТОЧНИКОВ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Аннотация
Ключевые слова
Полный текст:
PDFЛитература
1. Чумаков, А.И. Радиационная стойкость изделий ЭКБ [Текст] / А.И. Чумаков // Общая характеристика ионизирующих излучений: сб. статей. – М.: НИЯУ МИФИ, 2015. – 512 с.
2. Барбашов, В.М.; Трушкин, Н.С. Оценка надежности цифровых ис при воздействии радиации. Безопасность информационных технологий, [S.l.]. Т. 23, № 3. С. 11–19, oct. 2016. ISSN 2074-7136.
URL: https://bit.mephi.ru/index.php/bit/article/view/13 (дата обращения: 15.08.2020).
3. Романова И.К. Современные методы визуализации многомерных данных: анализ, классификация, реализация, приложения в технических системах [Текст] / И.К. Романов – М.:, Наука и Образование. МГТУ им. Н.Э. Баумана. Электрон. журн. 2016. № 03. С. 133–167.
URL: https://cyberleninka.ru/article/n/sovremennye-metody-vizualizatsii-mnogomernyh-dannyh-analiz-klassifikatsiya-realizatsiya-prilozheniya-v-tehnicheskih-sistemah (дата обращения: 15.08.2020).
4. A.B. Boruzdina et al., "Temperature Dependence of MCU Sensitivity in 65 nm CMOS SRAM," in IEEE Transactions on Nuclear Science. Vol. 62, no. 6. P. 2860–2866, Dec. 2015.
DOI: https://doi.org/10.1109/TNS.2015.2499120.
5. D.G. Mavis, D.R. Alexander and G.L. Dinger, "A chip-level modeling approach for rail span collapse and survivability analyses," in IEEE Transactions on Nuclear Science. Vol. 36, no. 6. P. 2239–2246, Dec. 1989.
DOI: https://doi.org/10.1109/23.45430.
6. Согоян А.В., Чумаков А.И. Диффузионная модель ионизационной реакции элементов БИС при воздействии ТЗЧ, «Микрорэлектроника». // Микроэлектроника. 2017. Т. 46. № 4. С. 305–312.
DOI: https://doi.org/10.7868/S0544126917040081.
7. P.K. Skorobogatov, G.G. Davydov, A.A. Pechenkin, D.V. Boychenko. Behavior of modern integrated circuits after latch-up parrying. RAD Conference Proceedings. Vol. 2. P. 159–162, 2017.
DOI: https://doi.org/10.21175/RadProc.2017.32.
8. Боруздина А.Б. Методики экспериментальных исследований многократных сбоев в КМОП микросхемах статических оперативных запоминающих устройств при возведении отдельных ядерных частиц [Текст]: автореферат дисcертации на соиск. учен. степ. канд. техн. наук (05.13.05) / Боруздина Анна Борисовна; НИЯУ «МИФИ». – Москва, 2015. – 25 с.
9. J.N. Bradford, "Geometric Analysis of Soft Errors and Oxide Damage Produced by Heavy Cosmic Rays and Alpha Particles," in IEEE Transactions on Nuclear Science. Vol. 27, no. 1. P. 941–947, Feb. 1980.
DOI: https://doi.org/10.1109/TNS.1980.4330955.
10. D. Giot, P. Roche, G. Gasiot, J. Autran and R. Harboe-Sorensen, "Heavy Ion Testing and 3-D Simulations of Multiple Cell Upset in 65 nm Standard SRAMs," in IEEE Transactions on Nuclear Science. Vol. 55, no. 4.
P. 2048–2054, Aug. 2008. DOI: https://doi.org/10.1109/TNS.2008.916063.
11. Чумаков, Александр И. Возможности и ограничения лазерных методов при оценке параметров чувствительности бис к эффектам воздействия тяжелых заряженных частиц. Безопасность информационных технологий, [S.l.]. Т. 26, № 3. С. 58–67, сен. 2019. ISSN 2074-7136.
URL: https://bit.mephi.ru/index.php/bit/article/view/1217 (дата обращения: 15.08.2020).
DOI: http://dx.doi.org/10.26583/bit.2019.3.05.
12. Лазерная установка ПИКО-3. URL: http://www.spels.ru/index.php?option=com_content&view=article&id
=344:2017-04-20-09-07-42&catid=43:ntk&Itemid=54. (дата обращения: 15.08.2020).
13. Лазерная установка РАДОН-8. URL: http://www.spels.ru/index.php?option=com_content&view=article&id
=346:2017-04-20-09-07-42&catid=43:ntk&Itemid=54 (обращения: 15.08.2020).
DOI: http://dx.doi.org/10.26583/bit.2020.3.04
Ссылки
- На текущий момент ссылки отсутствуют.

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.