АДАПТИРОВАННАЯ МЕТОДИКА КОНТРОЛЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СБОЕВ В NOR FLASH-ПАМЯТИ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ТЯЖЁЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
Аннотация
Ключевые слова
Полный текст:
PDFЛитература
1. Чумаков А.И. «Действие космической радиации на интегральные схемы». М.: Радио и связь. 2004. – 320 с. URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=19635287 (дата обращения: 29.07.2020).
2. Чумаков, А.И. Радиационная стойкость изделий ЭКБ [Текст] / А.И. Чумаков // Общая характеристика ионизирующих излучений: сб. статей. – М.: НИЯУ МИФИ, 2015. – 512 с.
3. Беляков В.В., Чумаков А.И., Никифоров А.Ю., Першенков В.С., Скоробогатов П.К., Согоян А.В. Расчётно-экспериментальные методы прогнозирования эффектов одиночных сбоев в элементах современной микроэлектроники // Микроэлектроника, 2003. Т. 32, № 2. С. 134–151.
URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=17262938 (дата обращения: 29.07.2020).
DOI: https://doi.org/10.1023/A:1022656102956.
4. Sogoyan A.V., Chumakov A.I. and Smolin A.A., "Single Event Rate Prediction Method for Advanced CMOS Technologies," 2018 International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices (ICREED), Beijing, China, 2018. P. 1–5. DOI: https://doi.org/10.1109/ICREED.2018.8905071.
5. A.B. Boruzdina, A.V. Yanenko, A.V. Ulanova, A.I. Chumakov, D.V. Bobrovskiy and V.M. Uzhegov, "Microdose effects in SRAM cells under heavy ion irradiation," 2017 17th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), Geneva, Switzerland, 2017. P. 1–3,
DOI: https://doi.org/10.1109/RADECS.2017.8696109.
6. A.A. Pechenkin, A.B. Boruzdina, A.V. Yanenko, D.E. Protasov, I.I. Shvetsov-Shilovskiy and A.A. Sangalov, "SEL and cell failures in MRAM under ion and focused laser irradiation," 2017 17th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), Geneva, Switzerland, 2017. P. 1–6.
DOI: https://doi.org/10.1109/RADECS.2017.8696211.
7. Чумаков, Александр И. и др. Требования и нормы испытаний по радиационной стойкости интегральных схем к эффектам воздействия тяжёлых заряженных частиц. Безопасность информационных технологий, [S.l.], Т. 27, №. 1. C. 83–97, фев. 2020. URL: https://bit.mephi.ru/index.php/bit/article/view/1254 (дата обращения: 18.08.2020).
DOI: http://dx.doi.org/10.26583/bit.2020.1.07.
8. Чумаков А.И. и др. Оценка показателей стойкости интегральных схем при воздействии тяжелых заряженных частиц с использованием различных моделей. Безопасность информационных технологий, [S.l.]. Т. 24, № 1. C. 73–84, 2017. ISSN 2074-7136. URL: https://bit.mephi.ru/index.php/bit/article/view/58 (дата обращения: 18.08.2020). DOI: http://dx.doi.org/10.26583/bit.2017.1.09.
9. Петров, А.Г. Функциональные отказы в микросхемах флэш-памяти от воздействия ионизирующих излучений космического пространства [Текст]: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук (05.13.05) / Петров Андрей Григорьевич; НИЯУ МИФИ – Москва, 2014 – 22 с.
URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=30416686 (дата обращения: 29.07.2020).
10. R. Koga, S. H. Penzin, K. B. Crawford and W. R. Crain, "Single event functional interrupt (SEFI) sensitivity in microcircuits," RADECS 97. Fourth European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (Cat. No.97TH8294), Cannes, France, 1997. P. 311–318.
DOI: https://doi.org/10.1109/RADECS.1997.698915.
11. Петров А.Г., Яненко А.В., Васильев А.Л., Чумаков А.И. «Поведение тока потребления микросхем флэш-памяти при возникновении эффектов сбоев типа SEFI» // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013», вып. 16, Москва, 2013. C. 163–164.
URL: http://www.spels.ru/index.php?option=com_content&view=article&id=179&Itemid=73 (дата обращения: 18.08.2020) (in Russian).
12. Петров А.Г. «Регистрация функциональных сбоев, приводящих к стиранию информации во флэш ЗУ при воздействии одиночных ядерных частиц». URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=25658477 (дата обращения: 18.08.2020).
13. Петров А.Г., Уланова А.В., Чумаков А.И., Васильев А.Л. Исследования потери информации в микросхемах флэш-памяти в активном и пассивном режимах при ионизирующем воздействии // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2014», вып.17, Москва, 2014. C. 175–176.
URL: http://www.spels.ru/index.php?option=com_content&view=article&id=179&Itemid=73 (дата обращения: 18.08.2020).
DOI: http://dx.doi.org/10.26583/bit.2020.3.06
Ссылки
- На текущий момент ссылки отсутствуют.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.