АДАПТИРОВАННАЯ МЕТОДИКА КОНТРОЛЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СБОЕВ В NOR FLASH-ПАМЯТИ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ТЯЖЁЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ

Роман И. Гвоздев, Иван И. Швецов-Шиловский, Сергей Б. Шмаков Шмаков

Аннотация


В данной статье предложена адаптированная методика контроля функциональных сбоев в NOR flash-памяти при испытаниях на стойкость к воздействию тяжёлых заряженных частиц. Эксперимент проводился на базе циклотрона У-400. Экспериментальные результаты апробации адаптированной методики показали необходимость разделения функциональных сбоев (ФС) на 5 типов в зависимости от характера каждого ФС и подтверждают необходимость адаптации методики и средств контроля для оценки параметров чувствительности к воздействию тяжёлых заряженных частиц (ТЗЧ) по одиночным радиационным эффектам (ОРЭ) ФС. Полученные результаты предоставляют дополнительные данные о параметрах чувствительности микросхем к воздействию ТЗЧ по ОРЭ производителю аппаратуры для разработки системы парирования наблюдаемых эффектов в аппаратуре, чтобы увеличить безопасность хранящейся информации.

Ключевые слова


функциональный сбой, тяжёлые заряженные частицы, стойкость, микросхема, аппаратно-программный комплекс.

Полный текст:

PDF

Литература


1. Чумаков А.И. «Действие космической радиации на интегральные схемы». М.: Радио и связь. 2004. – 320 с. URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=19635287 (дата обращения: 29.07.2020).

2. Чумаков, А.И. Радиационная стойкость изделий ЭКБ [Текст] / А.И. Чумаков // Общая характеристика ионизирующих излучений: сб. статей. – М.: НИЯУ МИФИ, 2015. – 512 с.

3. Беляков В.В., Чумаков А.И., Никифоров А.Ю., Першенков В.С., Скоробогатов П.К., Согоян А.В. Расчётно-экспериментальные методы прогнозирования эффектов одиночных сбоев в элементах современной микроэлектроники // Микроэлектроника, 2003. Т. 32, № 2. С. 134–151.
URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=17262938 (дата обращения: 29.07.2020).
DOI: https://doi.org/10.1023/A:1022656102956.

4. Sogoyan A.V., Chumakov A.I. and Smolin A.A., "Single Event Rate Prediction Method for Advanced CMOS Technologies," 2018 International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices (ICREED), Beijing, China, 2018. P. 1–5. DOI: https://doi.org/10.1109/ICREED.2018.8905071.

5. A.B. Boruzdina, A.V. Yanenko, A.V. Ulanova, A.I. Chumakov, D.V. Bobrovskiy and V.M. Uzhegov, "Microdose effects in SRAM cells under heavy ion irradiation," 2017 17th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), Geneva, Switzerland, 2017. P. 1–3,
DOI: https://doi.org/10.1109/RADECS.2017.8696109.

6. A.A. Pechenkin, A.B. Boruzdina, A.V. Yanenko, D.E. Protasov, I.I. Shvetsov-Shilovskiy and A.A. Sangalov, "SEL and cell failures in MRAM under ion and focused laser irradiation," 2017 17th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), Geneva, Switzerland, 2017. P. 1–6.
DOI: https://doi.org/10.1109/RADECS.2017.8696211.

7. Чумаков, Александр И. и др. Требования и нормы испытаний по радиационной стойкости интегральных схем к эффектам воздействия тяжёлых заряженных частиц. Безопасность информационных технологий, [S.l.], Т. 27, №. 1. C. 83–97, фев. 2020. URL: https://bit.mephi.ru/index.php/bit/article/view/1254 (дата обращения: 18.08.2020).
DOI: http://dx.doi.org/10.26583/bit.2020.1.07.

8. Чумаков А.И. и др. Оценка показателей стойкости интегральных схем при воздействии тяжелых заряженных частиц с использованием различных моделей. Безопасность информационных технологий, [S.l.]. Т. 24, № 1. C. 73–84, 2017. ISSN 2074-7136. URL: https://bit.mephi.ru/index.php/bit/article/view/58 (дата обращения: 18.08.2020). DOI: http://dx.doi.org/10.26583/bit.2017.1.09.

9. Петров, А.Г. Функциональные отказы в микросхемах флэш-памяти от воздействия ионизирующих излучений космического пространства [Текст]: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук (05.13.05) / Петров Андрей Григорьевич; НИЯУ МИФИ – Москва, 2014 – 22 с.
URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=30416686 (дата обращения: 29.07.2020).

10. R. Koga, S. H. Penzin, K. B. Crawford and W. R. Crain, "Single event functional interrupt (SEFI) sensitivity in microcircuits," RADECS 97. Fourth European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (Cat. No.97TH8294), Cannes, France, 1997. P. 311–318.
DOI: https://doi.org/10.1109/RADECS.1997.698915.

11. Петров А.Г., Яненко А.В., Васильев А.Л., Чумаков А.И. «Поведение тока потребления микросхем флэш-памяти при возникновении эффектов сбоев типа SEFI» // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2013», вып. 16, Москва, 2013. C. 163–164.
URL: http://www.spels.ru/index.php?option=com_content&view=article&id=179&Itemid=73 (дата обращения: 18.08.2020) (in Russian).

12. Петров А.Г. «Регистрация функциональных сбоев, приводящих к стиранию информации во флэш ЗУ при воздействии одиночных ядерных частиц». URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=25658477 (дата обращения: 18.08.2020).

13. Петров А.Г., Уланова А.В., Чумаков А.И., Васильев А.Л. Исследования потери информации в микросхемах флэш-памяти в активном и пассивном режимах при ионизирующем воздействии // Радиационная стойкость электронных систем – «Стойкость-2014», вып.17, Москва, 2014. C. 175–176.
URL: http://www.spels.ru/index.php?option=com_content&view=article&id=179&Itemid=73 (дата обращения: 18.08.2020).




DOI: http://dx.doi.org/10.26583/bit.2020.3.06

Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.


Лицензия Creative Commons
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.