РАСЧЕТНО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ДОЗОВЫХ РАДИАЦИОННЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ОТКАЗОВ ЦИФРОВЫХ СБИС

О. А. Калашников

Аннотация


Рассмотрена методика расчетно-экспериментального моделирования дозовых радиационных отказов цифровых СБИС, основанная на методе критериальных функций принадлежности. Метод предполагает переход от булевой логической модели с множеством значений сигналов {0,1} к логической модели сигналов, значения которых принадлежат непрерывному интервалу [0,1] и от булевых логических функций к непрерывным минимаксным функциям. Предложенная методика реализована в виде системы расчетного функционально-логического моделирования, позволяющей эффективно оценить радиационное поведение цифровых СБИС без проведения экспериментальных исследований.

Ключевые слова


СБИС; дозовые радиационные отказы; функционально-логическое моделирование

Полный текст:

PDF PDF (English)

Литература


1. Е.Р. Аствацатурьян, Н.С. Трушкин. Многоуровневое иерархическое моделирование радиационных эффектов в БИС // препринт МИФИ, 015-93, 1993, 24 с.

2. Е.Р. Аствацатурьян, В.А. Беляев, Н.С. Трушкин. Функционально-логическое моделирование радиационного поведения цифровых устройств // препринт МИФИ, 016-93, 1993, 28 с.

3. В.М. Барбашов, Н.С. Трушкин, О.А. Калашников. Детерминированные и недетерминированные модели отказов БИС при воздействии радиации // Микроэлектроника, 2015, том 44, №5, С. 1-4.

4. V.M. Barbashov. Methods of construction of the criterial membership function for the prediction of functional failures of large-scale integrated circuits under the effect of radiative and electromagnetic radiations // Russian Microelectronics, vol. 39, no. 2, pp. 100-112, 2010.

5. V.V. Belykov, A.I. Chumakov, A.Y. Nikiforov, V.S. Pershenkov, P.K. Skorobogatov, and A.V. Sogoyan, Prediction of local and global ionization effects on ICs: The synergy between numerical and physical simulation // Russian Microelectronics, vol. 32, no. 2, pp. 105-118, 2003.

6. V.M. Barbashov. Modeling of functional failures in digital systems under the radiation effect // Automation and Remote Control, vol. 74, no. 4, pp. 671-678.

7. O.A. Kalashnikov, and A.Y. Nikiforov. TID behavior of complex multifunctional VLSI devices // in Proc. 29th Int. Conf. on Microelectronics, MIEL 2014, Belgrade, Serbia, May 2014, pp. 455-458.


Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.


Лицензия Creative Commons
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.