Испытания ИС на стойкость к воздействию ТЗЧ в диапазоне эксплуатационных температур с использованием лазерных методов

Аннотация

СБИС, дозовые радиационные отказы, функционально-логическое моделирование. Чувствительность ИС по одиночным эффектам может зависеть от температуры. Традиционные методы ионного облучения имеют ограничения, которые можно преодолеть с использованием лазерных методов. В работе представлены результаты и обсуждение испытаний и исследований ИС лазерными методами в диапазоне температур. Основная проблема при использовании лазерных методов в диапазоне температур – определение эквивалентных значений линейных потерь энергии (ЛПЭ) для лазерного воздействия. В первом приближении эквивалентные ЛПЭ при одинаковой энергии импульса лазерного излучения и различных температурах прямо пропорциональны коэффициенту поглощения лазерного излучения в полупроводнике. Использование табличных значений коэффициента поглощения может привести к некорректным оценкам, необходимо определять коэффициент поглощения индивидуально для каждой рассматриваемой области ИС. Оценить температурное изменение коэффициента поглощения лазерного излучения возможно из параметров ионизационной реакции в цепи питания ИС на локальное лазерное воздействие. При использовании этого подхода наблюдалась удовлетворительная корреляция между результатами, полученными на ускорителе ионов, и результатами, полученными с использованием лазерных методов.