Защита информации в изделиях микроэлектроники при воздействии электромагнитных изучений

Аннотация

Оценка энерговыделения в кристалле ПП или ИС при непосредственном воздействии поля ЭМИ типичная геометрия облучения ис полем эми приведена на рис. 1. Рис. 1. Кристалл ИС в поле плоской электромагнитной волны полупроводящий кристалл толщиной 250-700 мкм размещен на проводящем (металлическом) основании. энергия электромагнитного поля приводит к энерговыделению в полупроводнике вследствие двух основных механизмов: наводка сигналов на подводящие выводы ис и последующая передача энергии в кристалл; непосредственное поглощение части энергии поля в полупроводящем кристалле ис. реальная геометрия облучения ис в корпусе в поле эми чрезвычайно сложна и носит трехмерный характер. с целью упрощения задачи можно воспользоваться предположением работы [1] о возможности моделирования воздействия в полубесконечной геометрии, изображенной на рис. 2. Рис. 2.